系統(tǒng)特征

序號(hào)

測(cè)試器件

01

二極管

02

晶體管NPN型/PNP型

03

J型場(chǎng)效應(yīng)管

04

MOS場(chǎng)效應(yīng)管

05

雙向可控硅

06

可控硅

07

lGBT

08

硅觸發(fā)可控硅

09

達(dá)林頓陣列

10

金屬氧化物壓變電阻

12

固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器

13

穩(wěn)壓、齊納二極管

規(guī)格/環(huán)境：

柵極發(fā)射極

VGES:0-40V

分辨率0. 1V

lGES:0.1-10Ua

分辨率0.01uA

Vce:0V

集電極發(fā)射極

Vces:100-3000v

分辨率10V

lces:100UA-5mA

分辨率10uA

Vge:0V

Vge:0V

柵極發(fā)射極閾值電壓

Vge(th):1-10V

分辨率0lV

集電極

發(fā)射極

飽和電壓

VCE(sat):02-5V

分辨率0.01V

lCE:10-100A

分辨率1A

二極管

VF:0-5V

分辨率0.01V

lF:0-100A

分辨率1A

Vge:0V

二極管反向**

可恢復(fù)直流電壓

Vces:100-3000V

分辨率10V

lces; 100UA-5mA

分辨率10uA