電源與驅(qū)動板啟動顯示過電流

通常是由于驅(qū)動電路或逆變模塊損壞引起。

空載輸出電壓正常，帶載后顯示過載或過電流

通常是由于參數(shù)設(shè)置不當或驅(qū)動電路老化，模塊損壞引起。

起動時一升速就跳閘，這是過電流十分嚴重的現(xiàn)象，主要檢查

① 工作機械有沒有卡住

② 負載側(cè)有沒有短路，用兆歐表檢查對地有沒有短路

③ 變頻器功率模塊有沒有損壞

④ 電動機的起動轉(zhuǎn)矩過小，拖動系統(tǒng)轉(zhuǎn)不起來

起動時不馬上跳閘，而在運行過程中跳閘，主要檢查

① 升速時間設(shè)定太短，加長加速時間

② 減速時間設(shè)定太短，加長減速時間

③ 轉(zhuǎn)矩補償(U/F比)設(shè)定太大，引起低頻時空載電流過大

④ 電子熱繼電器整定不當，動作電流設(shè)定得太小，引起變頻器誤動作

工作時狀態(tài) 和普通晶體管一樣，GTR也是一種放大器件，具有三種基本的工作狀態(tài)：

⑴放大狀態(tài) 起基本工作特點是集電極電流Ic的大小隨基極電流Ib而變 Ic=βIb 式中β------GTR的電流放大倍數(shù)。

GTR處于放大狀態(tài)時，其耗散功率Pc較大。設(shè)Uc=200V，Rc=10Ω，β=50，Ib=200mA（0.2A）計算如下：Ic= βIb=50*0.2A=10A Uce=Uc-IcRc=(200-10*10)V=100V Pc=UceIc=100*10W=1000W=1KW ⑵飽和狀態(tài) Ib增大時，Ic隨之而增大的狀態(tài)要受到歐姆定律的制約。當βIb>Uc/Rc 時，Ic=βIb的關(guān)系便不能再維持了，這時，GTR開始進入“飽和"狀態(tài)。而當Ic的大小幾乎完全由歐姆定律決定，即 Ics≈Uc/Rc 時，GTR便處于深度飽和狀態(tài)（Ics 為飽和電流）。這時，GTR的飽和壓降Uces約 為1-5V。

GTR處于飽和狀態(tài)時的功耗是很小的。上例中，設(shè)Uces=2V，則 Ics=Uc/Rc=200/10A=20A Pc=UcesIcs=2*20W=40W

可見，與放大狀態(tài)相比，相差甚遠。

⑶截止狀態(tài) 即關(guān)斷狀態(tài)。這是基極電流Ib≤0的結(jié)果。

在截止狀態(tài)，GTR只有很微弱的漏電流流過，因此，其功耗是微不足道的。

GTR在逆變電路中是用來作為開關(guān)器件的，工作過程中，總是在飽和狀態(tài)間進行交替。所以，逆變用的GTR的額定功耗通常是很小的。而如上述，如果GTR處于放大狀態(tài)，其功耗將增大達百倍以上。所以，逆變電路中的GTR是不允許在放大狀態(tài)下小作停留的。

功率場效應晶體管（POWER MOSFET） 它的3個極分別是源極S、漏極D和柵極G

其工作特點是，G、S間的控制信號是電壓信號Ugs。改變Ugs的大小，主電路的漏極電流Id也跟著改變。由于G、S間的輸入阻抗很大，故控制電流幾乎為0，所需驅(qū)動功率很小。和GTR相比，其驅(qū)動系統(tǒng)比較簡單，工作頻率也比較高。此外，MOSFET還具有熱穩(wěn)定性好、工作區(qū)大 等優(yōu)點。

但是，功率場效應晶體管在提高擊穿電壓和增大電流方面進展較慢，故在變頻器中的應用尚不能居主導地位。