這兩個概念主要出半導(dǎo)體加工過程中，初的半導(dǎo)體基片（襯底片）拋光沿用機械拋光、例如氧化鎂、氧化鋯拋光等，但是得到的晶片表面損傷是極其嚴重的。直到60年代末，一種新的拋光技術(shù)——化學機械拋光技術(shù)（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了舊的方法。

依據(jù)機械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學、物力化學多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學、半導(dǎo)體化學基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學過程。

CMP拋光液利用“軟磨硬”的原理很好的實現(xiàn)了藍寶石表面的精密拋光。隨著LED行業(yè)的快速發(fā)展，聚晶金剛石研磨液及二氧化硅溶膠拋光液的需求也與日俱增。

氧化硅拋光液是以高純度硅粉為原料，經(jīng)特殊工藝生產(chǎn)的一種高純度低金屬離子型拋光產(chǎn)品。廣泛用于多種材料納米級的高平坦化拋光。如：硅片、化合物晶體、精密光學器件、寶石等的拋光加工。