研磨液的添加量是根據(jù)水質(zhì)和產(chǎn)生切削屑來決定的，水質(zhì)硬切削量多，則研磨液的添加量應多些。由于離心式研磨機在相同的時間內(nèi)切屑量多，所以研磨液的添加量應多些。研磨液少量滴入滾筒內(nèi)被水攪勻后，在光整時會粘附在零件與磨料的表面，對金屬表面氧化膜的化學作用，使其軟化，易于從表面研磨除去，以提高研磨效率。

氧化鈰拋光液 氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。 適用于高精密光學儀器，光學鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。

拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。 拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程。