多晶金剛石拋光液 多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。 主要應(yīng)用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

依據(jù)機械加工原理、半導(dǎo)體材料工程學、物力化學多相反應(yīng)多相催化理論、表面工程學、半導(dǎo)體化學基礎(chǔ)理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復(fù)雜的多相反應(yīng)，它存在著兩個動力學過程。

CMP技術(shù)綜合了化學和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深?；瘜W機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。

包括棘輪扳手、開口扳手，批咀、套筒扳手，六角扳手，螺絲刀等，鉛錫合金、鋅合金等金屬產(chǎn)品經(jīng)過研磨以后，再使用拋光劑配合振動研磨光飾機，滾桶式研磨光式機進行拋光。 1、拋光劑投放量為（根據(jù)不同產(chǎn)品的大小，光飾機的大小和各公司的產(chǎn)品光亮度要求進行適當配置）； 2、拋光時間：根據(jù)產(chǎn)品的狀態(tài)來定； 3、拋光完成后用清水清洗一次并且烘干即可。