砷化鎵（gallium arsenide），化學(xué)式 GaAs。黑灰色固體，熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下，能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。

砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實用階段。

砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個數(shù)量級以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外，還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中，兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小，導(dǎo)熱性差，不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能，但由于它在高溫下分解，故要生產(chǎn)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料，技術(shù)上要求比較高。

貴金屬對新技術(shù)的發(fā)展起著越來越大的作用，被許多國家列為戰(zhàn)略物資。由于貴金屬在地殼中的儲量稀少，含量極低，價格昂貴，且應(yīng)用廣泛，所以對于貴金屬的取顯得尤其重要。冶金工藝路線是根據(jù)待處理物料的特點(diǎn)來制定的，對于處理含貴金屬物料的冶金工藝路線，也是根據(jù)物料中雜質(zhì)和貴金屬的組分、含量和狀態(tài)等情況來制定。將含貴金屬物料分為 2 類，一類是礦產(chǎn)資源，通常含有 Pt、Pd、Rh、Ir、Os、Ru、Au、Ag、Ni、Cu、Co、Fe、S 等多種有價元素，稱為一次資源。另一類是再生資源，它是在使用過程中報廢的貴金屬制品，這類資源種類繁雜、形態(tài)各異，貴金屬品位從萬分之幾(甚至到百萬分之幾， 即 10 -6級)到幾乎純凈金屬，稱為二次資源。

廢焊渣的處理一般采用直接加熱分離法。這種方法不僅回收率低，而且由于直接進(jìn)入大氣層的“鉛煙”而受到環(huán)境的雙重污染，已被禁止。在本文中，液體覆蓋還原技術(shù)，不僅有效地抑制了“鉛煙”的揮發(fā)，也會導(dǎo)致錫和鉛的氧化物還原，使廢焊渣的回收率可達(dá)90%以上，既保護(hù)了環(huán)境，又提高了資源的利用效率，并效果理想。