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    2025-02-11 08:00:01 1106次瀏覽
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    砷化鎵(gallium arsenide),化學(xué)式 GaAs。黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下,能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。

    砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,熔點(diǎn)1237℃,禁帶寬度1.4電子伏。砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。

    砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來(lái)制作集成電路襯底、紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。由于其電子遷移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。此外,還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中,兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小,導(dǎo)熱性差,不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能,但由于它在高溫下分解,故要生產(chǎn)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料,技術(shù)上要求比較高。

    用銅作捕集劑捕集鉑族金屬一般在電弧爐中進(jìn)行。將廢料、銅或者其銅的氧化物和還原劑在高溫下進(jìn)行還原熔煉,得到含貴金屬的銅合金,與渣分離。山田耕司等采用銅捕集法,將待處理的含鉑族元素原料、含氧化銅的材料、熔劑組分及還原劑一起裝入封閉電爐中,使之熔化,實(shí)現(xiàn)渣與金屬分離,從爐體的排渣口放出熔煉渣,渣中鉑、鈀和銠的含量分別為0.7、0.1、0.1g/t。銅捕集鉑族金屬熔煉溫度相對(duì)于鐵而言較低,分離效果好,渣中鉑族金屬損失小,并且金屬銅可以循環(huán)使用,但存在周期長(zhǎng)和試劑消耗過(guò)大、損失大、成本高等問(wèn)題。

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