碎硅片回收切割常見問題

1、雜質(zhì)線痕：由多晶硅錠內(nèi)雜質(zhì)引起，在切片過程中無法完全去除，導(dǎo)致硅片上產(chǎn)生相關(guān)線痕。

2、劃傷線痕：由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結(jié)塊引起。切割過程中，SIC顆?！翱ā痹阡摼€與硅片之間，無法溢出，造成線痕。

表現(xiàn)形式：包括整條線痕和半截線痕，內(nèi)凹，線痕發(fā)亮，較其它線痕更加窄細(xì)。

3、密布線痕(密集型線痕)：由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統(tǒng)問題，造成硅片上出現(xiàn)密集線痕區(qū)域。

4、錯位線痕：由于切片機液壓夾緊裝置表面有砂漿等異物或者托板上有殘余膠水，造成液壓裝置與托板不能完全夾緊，以及托板螺絲松動，而產(chǎn)生的線痕。

在整個切割過程中，對硅片的質(zhì)量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂漿的粘度、砂漿的流量、鋼線的速度、鋼線的張力以及工件的進(jìn)給速度等。

線痕和TTV: 線痕和TTV是在硅片加工當(dāng)中遇到的比較頭疼的事，時不時就會出現(xiàn)一刀，防不勝防。TTV是在入刀的時候出現(xiàn)，而線痕是在收線弓的時候容易出現(xiàn)。

多晶硅料回收的流程

1、硅料固體:液體蒸餾回收四氯化硅料提純多晶硅料生產(chǎn)線生產(chǎn)的四個四氯化硅料氣體，純氣體四氯化硅料在四個無填料噴霧吸收塔通過化學(xué)反應(yīng)，二氧化硅料和氯化氫生成的固體形狀，二氧化硅料固體形狀到過濾設(shè)備和干燥設(shè)備，干燥硅料硅料處理包裝進(jìn)店，二氧化硅料固體恢復(fù)過程。

2、四種氣態(tài)四氯化硅料鹽酸復(fù)蘇純化學(xué)反應(yīng)發(fā)生在無填料噴霧吸收塔，生成氯化氫氣體，氯化氫氣體在液體真空抽吸泵完成反應(yīng)生成鹽酸，集中的過程要求，集中存儲。

組件回收需要對組件進(jìn)行拆分，將鋁邊框、玻璃和接線盒部分去除，得到硅晶片。有效的完整硅晶片回收方法有“無機酸溶解法”和“熱處理法”。其中，后者又分為“固定容器熱處理法”和“流化床反應(yīng)器熱處理法”。

組件回收無機酸溶解法：用硝酸和過氧化氮混合酸，在一定的溫度條件下，經(jīng)過一段時間將EVA溶解掉，與玻璃分類。此法可保持晶硅片的完整，但需要進(jìn)一步對硅晶片進(jìn)行處理。

組件回收固定容器熱處理法：將光伏組件放入焚燒爐中，設(shè)置反應(yīng)溫度600℃進(jìn)行焚燒。焚燒完成后，將電池、玻璃和邊框等手工分離。回收的各類材料進(jìn)入相應(yīng)的回收程序，塑料類的材料完全焚燒。

多晶硅回收 太陽能級多晶硅一級料：能夠直接用作生產(chǎn)太陽能光伏多晶硅錠、單晶硅棒的高純度多晶硅塊。上述產(chǎn)品型號的定義以中國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 25074為準(zhǔn)。

太陽能級多晶硅二級料：在用于生產(chǎn)太陽能光伏多晶硅錠、單晶硅棒時需要與高純度的多晶硅混合使用。上述產(chǎn)品型號的定義以中國國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T 25074為準(zhǔn)。