多晶金剛石拋光液 多晶金剛石拋光液以多晶金剛石微粉為主要成分，配合高分散性配方，可以在保持高切削率的同時不易對研磨材質(zhì)產(chǎn)生劃傷。 主要應用于藍寶石襯底的研磨、LED芯片的背部減薄、光學晶體以及硬盤磁頭等的研磨和拋光。

（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。 （2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新裸露出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。

依據(jù)機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程

蠟乳液是天然蠟與合成蠟等材料在乳化劑的作用分散于水中的一種多相體系的乳液，制備方法主要是相轉(zhuǎn)化的乳化法。 低熔點的蠟可賦予皮革表面蠟感，適度封閉粒面?zhèn)麣垼€可改善皮堆積性，防止熨燙或壓花時粘板。熔點較高的蠟乳液，則能賦予高光澤，可拋光，透明度，能用于苯胺涂飾。