石墨烯復(fù)合漿料高剪切膠體磨,石墨烯研磨設(shè)備,石墨烯實(shí)驗(yàn)室均質(zhì)機(jī),石墨烯高剪切剝離設(shè)備,石墨烯膠體磨

一、石墨烯概述

石墨烯（Graphene）是一種由碳原子以sp2雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的平面薄膜，只有一個(gè)碳原子厚度的二維材料。石墨烯目前是世上薄卻也是堅(jiān)硬的納米材料，幾乎完全透明，只吸收2.3%的光；導(dǎo)熱系數(shù)高達(dá)5300W/m，高于碳納米管和金剛石，常溫下其電子遷移率超過15000cm2/Vs，又比納米碳管或硅晶體高，而電阻率只約10-8Ω/m，比銅或銀更低，為世上電阻率小的材料。

二、石墨烯剝離方法

1.機(jī)械剝離法

2.化學(xué)氣相沉積法（CVD）

3.氧化-還原法

氧化-還原法是指將天然石墨與強(qiáng)酸和強(qiáng)氧化性物質(zhì)反應(yīng)生成氧化石墨（GO），經(jīng)過超聲分散制備成氧化石墨烯，然后加入還原劑去除氧化石墨表面的含氧基團(tuán)后得到石墨烯。氧化-還原法制備成本較低容易實(shí)現(xiàn)，成為生產(chǎn)石墨烯的主流方法。但是該方法所產(chǎn)生的廢液對環(huán)境污染比較嚴(yán)重，所制備的石墨烯一般都是多層石墨烯或者石墨微晶而非嚴(yán)格意義上的石墨烯，并且產(chǎn)品存在缺陷而導(dǎo)致石墨烯部分電學(xué)和力學(xué)性能損失。

4.溶劑剝離法

溶劑剝離法的原理是將少量的石墨分散于溶劑中形成低濃度的分散液，利用超聲波的作用破壞石墨層間的范德華力，溶劑插入石墨層間，進(jìn)行層層剝離而制備出石墨烯。此方法不會(huì)像氧化-還原法那樣破壞石墨烯的結(jié)構(gòu)，可以制備高質(zhì)量的石墨烯。缺點(diǎn)是成本較高并且產(chǎn)率很低，工業(yè)化生產(chǎn)比較困難。當(dāng)然，石墨烯的制備方法還有溶劑熱法、高溫還原、光照還原、外延晶體生長法、微波法、電弧法、電化學(xué)法等，這些方法都不及上述四種方法普遍。不要混淆?。。∵€原氧化石墨烯，即RGO。一般來說，氧化石墨烯是由石墨經(jīng)強(qiáng)酸氧化，然后再經(jīng)過化學(xué)還原或者熱沖擊還原得到。目前市場上所謂的“石墨烯”絕大多數(shù)都是通過氧化-還原法生產(chǎn)的氧化石墨烯，石墨片層數(shù)目不等，表面存在大量的缺陷和官能團(tuán)，無論是導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性還是機(jī)械性都跟獲得諾貝爾獎(jiǎng)的石墨烯是兩回事。嚴(yán)格意義上而言，它們并不能稱為“石墨烯”。制備石墨烯的方法有很多。但歸納起來兩大類，一類是從大往小做，也叫自上而下法。例如，以石墨為原料，通過膠帶粘貼、氧化還原、液相插層和機(jī)械剝離等手段破壞石墨晶體的長程有序堆疊，得到單層或少數(shù)幾層的石墨烯。另一類是從小往大長，也叫自下而上法。例如，以含碳小分子等為前驅(qū)體，采用化學(xué)氣相沉積、外延生長和有機(jī)合成等方法將碳素組裝成石墨烯。

三、石墨烯機(jī)械剝離法

石墨烯復(fù)合漿料高剪切膠體磨是利用高速旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的能量，使石墨材料受到強(qiáng)烈的機(jī)械及液力剪切、高速撞擊剝離、離心擠壓力、液層摩擦和氣蝕等綜合作用下，使石墨層與層之間產(chǎn)生晶面水平錯(cuò)位和滑移運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而將石墨快速剝離，經(jīng)過高頻的循環(huán)往復(fù)，終得到穩(wěn)定的石墨烯。

四、石墨烯復(fù)合漿料高剪切膠體磨

膠體磨XM2000系列特別適合于膠體溶液，超細(xì)懸浮液和乳液的生產(chǎn)。除了高轉(zhuǎn)速和靈活可調(diào)的定轉(zhuǎn)子間隙外，XM在摩擦狀態(tài)下工作，因此也被稱做濕磨。在錐形轉(zhuǎn)載和定子之間有一個(gè)寬的入口間隙和窄的出口問題，在工作中，分散頭偏心運(yùn)轉(zhuǎn)使溶液出現(xiàn)渦流，因此可以達(dá)到更好的研磨分散效果。XM2000整機(jī)采用幾何機(jī)構(gòu)的研磨定轉(zhuǎn)子，好的表面處理和優(yōu)質(zhì)材料，可以滿足不同行業(yè)的多種需求。