硅固然是取之不盡、用之不竭的原材料，但化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵很可能成為繼硅之后第二種重要的半導(dǎo)體材料。因?yàn)榕c硅相比，砷化鎵具有更高的禁帶寬度，因而砷化鎵囂器件可以用于更高的工作溫度，又由于它具有更高的電子遷移率，所以可用于要求更高頻率和更高開關(guān)速度的場(chǎng)合，這也就使它成為制造高速計(jì)算機(jī)的關(guān)鍵材料。砷化鎵材料更重要的一個(gè)特性是它的光電效應(yīng)，可以使它成為激光光源，這是實(shí)現(xiàn)光纖通訊的關(guān)鍵。因而預(yù)計(jì)砷化鎵材料在世紀(jì)之交的90年代將有一個(gè)大發(fā)展。

在高真空條件下，采用分子速外延(MBE)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、液相外延(LPE)金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、化學(xué)束外延(CBE)等方法，在晶體襯底上一層疊一層地生長出不同材料的薄膜來，每層只有幾個(gè)原子層，這樣生長出來的材料叫超晶格材料。超晶格的出現(xiàn)將為半導(dǎo)體材料、器件的發(fā)展開辟更新的天地。